Preparación y caracterización del semiconductor ZnO con impurezas magnéticas
En este trabajo se fabricaron muestras policristalinas de Óxido de Zinc (ZnO) dopadas con Cobalto (Co), ZnO_(1-x)Co_(x) con 0.01= x = 0.3. Las muestras se prepararon usando el método de reacción de estado sólido a temperatura de 900°C durante 12 h y enfriamiento libre. El análisis estructural, se re...
- Autores:
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                   Bautista Sapuyes, Nelly Yanira           
 
- Tipo de recurso:
 
- Fecha de publicación:
 - 2019
 
- Institución:
 - Universidad Nacional de Colombia
 
- Repositorio:
 - Universidad Nacional de Colombia
 
- Idioma:
 -           spa          
 - OAI Identifier:
 - oai:repositorio.unal.edu.co:unal/76534
 - Acceso en línea:
 -           https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/76534
          
http://bdigital.unal.edu.co/73023/
 - Palabra clave:
 -           Efecto Hall          
Impurezas magnéticas
Semiconductor
Magnetización
Hall effect
Magnetic impurities
Semiconductor
Magnetization
 - Rights
 - openAccess
 - License
 - Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
 
