Síntesis, caracterización estructural y eléctrica de películas de V2O5 .nH2O

V2O5 .nH2O films were characterized structurally, vibrationally, and electrically, as well as synthesized by the method of rapid cooling or quenching. The films submitted to thermal treatment among 100°C and 200°C during 24 hours showed slight variations in the crystal structure with a preferred ori...

Full description

Autores:: Londoño C., César Leandro
Hernández J., Carlos Vargas
Jurado, Fabián

Tipo de recurso:

Fecha de publicación:: 2009

Institución:: Universidad de San Buenaventura

Repositorio:: Repositorio USB

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description	V2O5 .nH2O films were characterized structurally, vibrationally, and electrically, as well as synthesized by the method of rapid cooling or quenching. The films submitted to thermal treatment among 100°C and 200°C during 24 hours showed slight variations in the crystal structure with a preferred orientation along [a00]. The electrical conductance showed an Arrhenius type behavior, typical of semiconductor materials, with activation energies of 0.246( ± )0.001 eV for the sprinkle and 0.262( ± )0.002 eV for the film submitted to thermal treatment at 200°C for 24 hours. These energy values are very close to those reported for vanadium pentoxide. µ-Raman spectra at room temperature confirmed the presence of vibrational modes, typical of vanadium oxide.
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These energy values are very close to those reported for vanadium pentoxide. µ-Raman spectra at room temperature confirmed the presence of vibrational modes, typical of vanadium oxide.Se caracterizó estructural, vibracional y eléctricamente películas de V2O5 . nH2O sintetizadas por el método de enfriamiento rápido (quenching). Las películas sometidas a tratamientos térmicos de 100 °C y 200 ºC durante 24 horas presentaron ligeras variaciones en la estructura cristalina, con orientación preferencial a lo largo de [a00]. La conductancia eléctrica mostró un comportamiento tipo Arrhenius propio de materiales semiconductores, con energías de activación de 0.246( ± )0.001 eV para el material en polvo (sprinkle) y 0.262( ± )0.002 eV para la película tratada térmicamente a 200°C por 24 horas. Estos valores de energía son muy cercanos a los reportados para el pentóxido de vanadio en bloque. Los espectros µ-Raman a temperatura ambiente, confirmaron la presencia de modos vibracionales propios del óxido de vanadio.Universidad de San Buenaventura - Calipdf11 - 18 páginasRecurso en lineaapplication/pdf1794-192X2256-3202 (en línea)http://hdl.handle.net/10819/5118spaUniversidad de San BuenaventuraDocumento USBDocumentos USBCaliRevista Científica Guillermo de Ockham;Vol. 07, No 2. Julio-Diciembre 2009Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 ColombiaPor medio de este formato manifiesto mi voluntad de AUTORIZAR a la Universidad de San Buenaventura, Sede Bogotá, Seccionales Medellín, Cali y Cartagena, la difusión en texto completo de manera gratuita y por tiempo indefinido en la Biblioteca Digital Universidad de San Buenaventura, el documento académico-investigativo objeto de la presente autorización, con fines estrictamente educativos, científicos y culturales, en los términos establecidos en la Ley 23 de 1982, Ley 44 de 1993, Decisión Andina 351 de 1993, Decreto 460 de 1995 y demás normas generales sobre derechos de autor. Como autor manifiesto que el presente documento académico-investigativo es original y se realiza sin violar o usurpar derechos de autor de terceros, por lo tanto, la obra es de mi exclusiva autora y poseo la titularidad sobre la misma. La Universidad de San Buenaventura no será responsable de ninguna utilización indebida del documento por parte de terceros y será exclusivamente mi responsabilidad atender personalmente cualquier reclamación que pueda presentarse a la Universidad. Autorizo a la Biblioteca Digital de la Universidad de San Buenaventura convertir el documento al formato que el repositorio lo requiera (impreso, digital, electrónico o cualquier otro conocido o por conocer) o con fines de preservación digital. Esta autorización no implica renuncia a la facultad que tengo de publicar posteriormente la obra, en forma total o parcial, por lo cual podrá, dando aviso por escrito con no menos de un mes de antelación, solicitar que el documento deje de estar disponible para el público en la Biblioteca Digital de la Universidad de San Buenaventura, así mismo, cuando se requiera por razones legales y/o reglas del editor de una revista.http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/http://purl.org/coar/access_right/c_abf2Revista Científica Guillermo de Ockham– ALAA, A. A. (2007). Crystallization and electrical properties of V2 O5 thin films prepared by rf-sputtering. Applied surface science, 253 pp. 7094-7099. – ALONSO, B. y LIVAGE, J. (1999) Synthesis of vanadium oxide gels from peroxovanadic acid solutions: A 51V NMR study. Journal of solid state chemistry, 148 pp. 16-19. – BAN, C.; CHERNOVA N. y WHITTINGHAM, S. M. (2009). Electrospun nano-vanadium pentoxide cathode. Electrochemistry communicantions, 11 pp. 522-525. – BENMOUSSA, M. et. al. (1995). Structural electrical and optical properties of sputtered vanadium pentoxide thin films. Thin solid films, 265 pp. 22-28. – BENMOUSSA, A., et. al. (2003). Properties of sol-gel V2 O5 thin films. Active and passive electronic components, 26 (4) pp. 245-256. – CULLITY, B. D. (1956). Elements of x-ray diffraction. United States of America: Addison-Wesley Publishing Company. Inc. – FANG, G. J. et. al. (2000). Oriented growth of electrochromic thin films on transparent conductive glass by pulsed excimer laser ablation technique. Journal of physics D: Applied physics, 33 pp. 3018-3021. – FREYLAND, W. et. al. (1983). Landolt-Börnstein numerical data and functional relationships in science and technology. Group III: Crystal and solid state physics. Volume 17. Semiconductors. New York; SpringerVerlag Berlin Heidelberg. – GUERRA E. M.; SILVA, R. G. y MULATO, M. (2009). Extended gate field effect transistor using V2 O5 xerogel sensing membrane by sol-gel method. Solid state sciences, 11 pp. 456-460. – HABER, J. (2009). Fifty years of my romance with vanadium oxide catalysts. Catalysis today, 142 pp. 100-113. – KASPER, J. S. y RICHARDS, S. M. (1964) The crystal structures of new forms of silicon and germanium. Acta crystallographica, 17 pp. 752-755. – LARSON, A. C. y VON DREELE, R. B. (2000). General structure analysis system (GSAS). Los alamos national laboratory report LAUR, 86-748. – LIVAGE, J. (1991). Vanadium pentoxide gels. Chemistry of materials, 3 (4) pp. 578-593. – MANDOUH, Z. S. y SELIM, M. S. (2000). Physical properties of vanadium pentoxide sol gel films. Thin solid films, 371 pp. 259-263. – RAMANA, C. V. et. al. (1997) Spectroscopy characterization of electron-beam evaporated V2 O5 thin films. Thin solid films, 305 pp. 219-226. – SEO, C.; CHEONG, H. y LEE, S. H. (2008) Color change of V2 O5 thin films upon exposure to organic vapors. 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