Implementación de una cavidad SIW en tecnología LTCC con un substrato de alta permitividad en banda S-Implementation of an S Band SIW Cavity in LTCC Technology with a High Permittivity Substrate
Este artículo presenta la implementación de un prototipo de prueba de una cavidad resonante SIW en banda S, utilizando la tecnología LTCC en combinación con un substrato de alta permitividad (substrato Heraeus Heratape ®CT765, εr = 68,7 a 2.5 GHz). Dicho diseño aprovecha las características que ofre...
- Autores:
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Guerrero E., Rubén Darío
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2016
- Institución:
- Universidad de San Buenaventura
- Repositorio:
- Repositorio USB
- Idioma:
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- OAI Identifier:
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- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/10819/28712
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Este artículo presenta la implementación de un prototipo de prueba de una cavidad resonante SIW en banda S, utilizando la tecnología LTCC en combinación con un substrato de alta permitividad (substrato Heraeus Heratape ®CT765, εr = 68,7 a 2.5 GHz). Dicho diseño aprovecha las características que ofrece la tecnología SIW tales como un factor de calidad elevado y su capacidad de integración con tecnologías planares, junto con la flexibilidad de diseño y la reducción de tamaño proporcionadas por la tecnología multicapa LTCC en un ambiente de alta permitividad. La topología presentada está encaminada a determinar el valor de la constante dieléctrica del substrato en la banda especificada, así como para verificar la precisión y capacidades de manufactura de la empresa seleccionada para la fabricación de prototipos en tecnología LTCC. |
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