Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5
Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este m...
- Autores:
-
Valencia-Balvín, Camilo
Pérez-Walton, Santiago
Osorio-Guillén, Jorge M.
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2018
- Institución:
- Instituto Tecnológico Metropolitano
- Repositorio:
- Repositorio ITM
- Idioma:
- eng
spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.itm.edu.co:20.500.12622/1066
- Acceso en línea:
- https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/1064
http://hdl.handle.net/20.500.12622/1066
- Palabra clave:
- Ta2O5
teoría de los funcionales de la densidad
PBEsol
HSE06
constante dieléctrica
Ta2O5
density functional theory
PBEsol
HSE06
dielectric constant
- Rights
- License
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/