Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5

Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudioteórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbridoHSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas ydieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene ungap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constantedieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otrasfases de este semiconductor.

• Autores: Valencia-Balvín, Camilo; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge M.
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2018
• Institución: Instituto Tecnológico Metropolitano
• Repositorio: Repositorio ITM
• Idioma: eng; spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.itm.edu.co:20.500.12622/1066
• Acceso en línea: https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/1064; http://hdl.handle.net/20.500.12622/1066
• Palabra clave: Ta2O5; teoría de los funcionales de la densidad; PBEsol; HSE06; constante dieléctrica; Ta2O5; density functional theory; PBEsol; HSE06; dielectric constant
• License: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/