Comparación del método de Harman vs espectroscopía de impedancias para medir la figura de mérito de dispositivos termoeléctricos con MoS2 (2018)
Los termoeléctricos (TE) son materiales que tienen la capacidad de convertir gradientes de calor en diferencias de potencial, esta propiedad los hace útiles para mejorar rendimiento energético de procesos físicos. Las nanoestructuras han ido ganando atención como alternativa para mejorar la eficiencia de los termoeléctricos en dirección normal al plano. Estructuras basadas en grafeno tienen la posibilidad de ser altamente eficientes si se logran acoplar con algún material que mejore la conductividad eléctrica y disminuya la conductividad térmica en esta dirección. En este trabajo se construyeron dispositivos TE con una estructura a capas de MoS2 y grafeno. La figura de mérito (ZT) fue medida usando el método transitorio de Harman (THM) y espectroscopía de impedancias (EIS). Se obtienen valores hasta 2,37 con THM y 2,67 con EIS. Estos valores son relacionados con imágenes de respuesta eléctrica a nanoescala usando AFM-ORCA.