Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect (2018)
Las interacciones de interfaz en sistemas de bicapas VOx/F (donde F es una película ferromagnética), presentan propiedades óptimas para desarrollo de materiales útiles para aplicaciones tecnológicas. La transición de fase estructural (TFE) del VOx es el factor principal en la aparición de tales propiedades y estudios recientes sugieren que, para el caso del V2O3Ni, existe una competencia de tamaño entre los dominios magnéticos de Ni y coexistencia de fases del V2O3, durante la TFE a 160K. Esta competencia produce un pico en el comportamiento del campo coercitivo magnético del sistema a esa temperatura. Por otro lado, en estudios previos se ha visto que la anisotropía magnética del Ni está fuertemente confinada en el plano de la película. Sin embargo, para aplicaciones en memorias es útil que la anisotropía de magnetización apunte fuera del plano. Aquí mostramos que, para el sistema V2O3/Ni, la interacción de la interfaz entre estas películas induce anisotropía magnética en el Ni. Las mediciones de magneto resistencia y magnetometría se utilizan para observar esta anisotropía magnética que apunta hacia afuera del plano. La existencia de tal anisotropía fuera del plano podría ser útil para desarrollar nuevas memorias ajustables capaces de almacenar información en forma de bits perpendiculares al plano que facilitaría el acceso a la información. Se realiza en este trabajo un extenso estudio, como la dependencia angular del efecto de resistencia magnética, la magnetización frente a la temperatura y la magnetización frente al campo magnético, para identificar diferentes tipos de acoplamiento magnético...