Application of the Dresselhaus and Hicks model to WS2 based thermoelectric devices (2019)
La busqueda de materiales termoeléctricos de alta eficiencia ha hecho de los materiales nano estructurados una alternativa atractiva para dispositivos de conversión termoeléctrica. En este trabajo se estudiaron las heteroestructuras de grafeno y disulfuro de tungsteno, o WS2, desde un punto de vista teórico y experimental. Desde la perspectica teorica, la aproximacion del tiempo de relajación predice que el disulfuro de tungsteno debería ser un buen termoeléctrico de alta temperatura (~ 1000 K). Así mismo, su eficiencia termoeléctrica, dada por el coeficiente ZT, se puede optimizar mediante dopaje. Al modelar la heteroestructura entre disulfuro de tungsteno y grafeno con un potencial tipo Kronnig Penney, encontramos que los electrones de conducción se mueven cuasi libremente a través de la interfase. Esto nos lleva a pensar que la contribución de la nano estructuración es fonónica mas que electrónica. En el ambito experimental se fabricaron dichas heteroestructuras a partir de WS2 y grafeno exfoliado electroquímicamente.