Sistema de medición precisa para la caracterización de parámetros en diodos, transistores BJT y MOSFET (2025)
Se desarrolló un sistema de medición con exactitud para la caracterización de parámetros eléctricos en semiconductores, específicamente diodos, BJT (unión bipolar) y MOSFET. Para cada tipo de semiconductor, se midió el voltaje forward y voltaje de ruptura en diodos; VBE(on) y la ganancia Beta en transistores BJT tipo NPN; así como el VGS(th) y RDS(on) en transistores MOSFET de canal N. El diseño del sistema se basó en el desarrollo de un circuito, capaz de utilizar diferentes fuentes de corrientes constantes dependiendo del tipo del semiconductor a medir. Se emplearon fuentes de corriente de 20 mA para diodos, 200 mA para medir RDS(on), 250 µA para VGS(th) y 200 µA para la medición de Beta. Durante el desarrollo se integró un microcontrolador con el propósito de adquirir y mostrar en tiempo real los parámetros registrados, optimizando así los procesos de validación y selección de dispositivos. Principalmente, se obtuvo un sistema funcional que permite obtener mediciones exactas, permitiendo la validación de los valores técnicos reales de cada semiconductor independientemente del lote de fabricación.