Efecto de la temperatura de recocido sobre las propiedades ópticas y estructurales de películas delgadas de GaSb depositadas por DC magnetron sputtering (2018)
Conocer las características estructurales y ópticas de determinados semiconductores es un factor importante para la fabricación de dispositivos con el fin de saber sus propiedades y mejorar la eficiencia de los mismos. El semiconductor fabricado y caracterizado en este trabajo, el Antimoniuro de Galio, GaSb, es ampliamente conocido en el campo de los semiconductores por diversas aplicaciones y por tal motivo en este proyecto se depositaron películas delgadas de GaSb a través del método de pulverización catódica, bajo diferentes parámetros de síntesis, entre ellos el tiempo de depósito (5min y 15min) y la temperatura de recocido (de 300°C a 350°C). Para ello a las películas delgadas de les realizaron estudios de Difracción de rayos X (XRD, por sus siglas en inglés) para la identificación de fases y estructura del cristal y se midió igualmente la transmitancia y reflectancia para identificar las contantes ópticas (índice de refracción, Gap óptico y coeficiente de absorción). Se pudo observar que tanto la temperatura de recocido como el tiempo de depósito influyen en las propiedades estudiadas, logrando mejorar la cristalización del material y su capacidad de absorción de la luz bien sea al aumentar la temperatura de recocido y/o el tiempo de depósito.