Preparación de películas semiconductoras de n-tio2 utilizando como precursores butoxido de titanio (iv) polímero, butoxido de titanio (iv) y etilendiamina para la oxidación del fenol en soluciones acuosas (2013)
Películas semiconductoras de N-TiO2 fueron preparadas por el método sol-gel, empleando como precursores de titanio: polímero de butoxido de titanio (IV) y butóxido de titanio (IV); y como precursor de nitrógeno etilendiamina. Se utilizaron relaciones molares, alcóxidos de titanio/nitrógeno (1:1.5; 1:3.0), y como catalizador HNO3 (0.1 M), posteriormente estas películas fueron caracterizadas por técnicas espectroscópicas (Infrarrojo con transformada de Fourier (FTIR), UV de Reflectancia difusa (UV-DR) y difracción de rayos X (XRD)), técnicas microscópicas ( microscopia electrónica de barrido (SEM)), técnicas electroquímicas (voltamperometría lineal y medidas de potencial a circuito abierto) y propiedades físicas como: tamaño de partícula y viscosidad. Por último se evaluó el efecto del precursor de titanio y la relación de alcohol en la eficiencia de las películas N-TiO2 13, N-TiO2 13A y N-TiO2 16 empleándolas como fotoánodos en la foto electrocatálisis de soluciones acuosas de fenol, en este proceso se utilizó como cátodo la placa de acero AISI/SAE 304 se operó con un voltaje de 1.0 V sobre un área efectiva de 3 cm2, alcanzando una densidad de corriente de 0.022 mA/ cm2. Se trabajo con una solución electrolítica que contenía 50 ppm de fenol y 0.1 M de NaClO4 en un medio de reacción ácido pH (5.37). La cantidad de fenol degradado se cuantifico por UV-visible.