Estudio de la impurificación de capas epitaxiales de GaAs y AIGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia. (2002)
En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).