Caracterización óptica y fototérmica de películas delgadas semiconductoras fabricadas por epitaxia en fase liquida. (2002)
En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).